晶體管

型號	描述	庫存
IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 30.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存13,890
IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 700V 7.4A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存13,770
IPS80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 80µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存13,320
IPS80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,650
IPS80R2K0P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 24W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存14,004
IPS80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 22W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存13,332
IPS80R600P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存15,120
IPS80R750P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 51W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存16,482
IPS80R900P7AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 110µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 500V FET功能: - 功耗（最大值）: 45W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,780
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 174pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 25W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,016
IPSA70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,950
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 158pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 22.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存14,940
IPSA70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 163pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,412
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 17.6W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3-347 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存9,936
IPSA70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 59.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存16,458
IPSA70R450P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存16,836
IPSA70R600CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 474pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存15,258
IPSA70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 43.1W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存19,782
IPSA70R750P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 306pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 34.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,112
IPSA70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 400V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 30.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,448
IPSA70R950CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3-347 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存12,414
IPSH4N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 90A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,582
IPSH5N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2653pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,348
IPSH6N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 71W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,364
IPSH6N03LB G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,046
IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 163nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存35,148
IPT007N06NATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 287nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存71,916
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 143µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9750pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存4,788
IPT012N08N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 280µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 223nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17000pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存29,388
IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1 包裝/箱: 8-PowerSFN	庫存255,786

IPS70R900P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存13,890

IPS70R950CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 700V 7.4A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存13,770

IPS80R1K2P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 80µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存13,320

IPS80R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,650

IPS80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 24W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存14,004

IPS80R2K4P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存13,332

IPS80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 170µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存15,120

IPS80R750P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 140µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 51W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存16,482

IPS80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 110µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 500V
FET功能: -
功耗（最大值）: 45W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,780

IPSA70R1K2P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 174pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 25W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,016

IPSA70R1K4CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,950

IPSA70R1K4P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 158pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存14,940

IPSA70R2K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 163pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,412

IPSA70R2K0P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 17.6W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3-347
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存9,936

IPSA70R360P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 59.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存16,458

IPSA70R450P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 120µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.1nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 424pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存16,836

IPSA70R600CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 10.5A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 474pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存15,258

IPSA70R600P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 43.1W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存19,782

IPSA70R750P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 306pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 34.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,112

IPSA70R900P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 400V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 211pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,448

IPSA70R950CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3-347
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存12,414

IPSH4N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,582

IPSH5N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 35µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2653pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,348

IPSH6N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2390pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 71W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,364

IPSH6N03LB G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2800pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,046

IPT004N03LATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 163nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 24000pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.8W (Ta), 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存35,148

IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 287nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存71,916

IPT012N06NATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 143µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9750pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存4,788

IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 280µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 223nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 17000pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存29,388

IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 211nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-HSOF-8-1
包裝/箱: 8-PowerSFN

庫存255,786

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