晶體管

型號	描述	庫存
IPS13N03LA G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 46W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,906
IPS20N03L G Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 30A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,406
IPS50R520CP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存8,712
IPS50R520CPAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存5,922
IPS50R520CPBKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 LOW POWER_LEGACY 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,554
IPS60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,886
IPS60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,812
IPS60R2K1CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,362
IPS60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,652
IPS60R400CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存5,508
IPS60R460CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存6,642
IPS60R650CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,038
IPS60R800CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,380
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,996
IPS65R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 68W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3-342 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,808
IPS65R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存18,060
IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ CE FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 28W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存7,902
IPS65R400CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,968
IPS65R600E6AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V TO-251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ E6 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存2,178
IPS65R650CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,592
IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 37W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存6,372
IPS70N10S3L-12 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 1TO251-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,586
IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 700V 5.4A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 53W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PG-TO251 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存3,490
IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 158pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 22.7W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存17,172
IPS70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 700V 4A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 163pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存14,796
IPS70R2K0CEE8211 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,788
IPS70R360P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 59.5W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存13,296
IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 0.21mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 474pF @ 100V FET功能: Super Junction 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak	庫存5,436
IPS70R600CEAKMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 CONSUMER 制造商: Infineon Technologies 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,794
IPS70R600P7SAKMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolMOS™ P7 FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 43W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: PG-TO251-3 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存18,180

IPS13N03LA G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1043pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 46W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,906

IPS20N03L G

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,406

IPS50R520CP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存8,712

IPS50R520CPAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存5,922

IPS50R520CPBKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

LOW POWER_LEGACY

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,554

IPS60R1K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,886

IPS60R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,812

IPS60R2K1CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,362

IPS60R3K4CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,652

IPS60R400CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存5,508

IPS60R460CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存6,642

IPS60R650CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,038

IPS60R800CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,380

IPS65R1K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,996

IPS65R1K0CEAKMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 68W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3-342
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,808

IPS65R1K4C6AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存18,060

IPS65R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ CE
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 28W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存7,902

IPS65R400CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,968

IPS65R600E6AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V TO-251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ E6
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存2,178

IPS65R650CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 210µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 440pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,592

IPS65R950C6AKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 328pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 37W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存6,372

IPS70N10S3L-12

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 1TO251-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,586

IPS70R1K4CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 700V 5.4A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 53W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PG-TO251
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存3,490

IPS70R1K4P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 158pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 22.7W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存17,172

IPS70R2K0CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 700V 4A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 70µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 163pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存14,796

IPS70R2K0CEE8211

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,788

IPS70R360P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 517pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 59.5W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存13,296

IPS70R600CEAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 0.21mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 474pF @ 100V
FET功能: Super Junction
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

庫存5,436

IPS70R600CEAKMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

CONSUMER

制造商: Infineon Technologies
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,794

IPS70R600P7SAKMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™ P7
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 90µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±16V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 364pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 43W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: PG-TO251-3
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存18,180

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