晶體管

型號	描述	庫存
DMP2010UFV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,394
DMP2010UFV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,750
DMP2012SN-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SC-59-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存6,912
DMP2018LFK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4748pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2523-6 包裝/箱: 6-PowerUDFN	庫存95,766
DMP2021UFDE-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 11.1A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存7,542
DMP2021UFDE-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 11.1A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存26,286
DMP2021UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存5,472
DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存7,722
DMP2021UTS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 18A 8-TSSOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存8,856
DMP2021UTSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存4,806
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2444pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存88,320
DMP2022LSSQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2575pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,518
DMP2023UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7.6A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1837pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存4,176
DMP2023UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7.6A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1837pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 730mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存101,844
DMP2033UCB9-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-WLB1515-9 包裝/箱: 9-UFBGA, WLBGA	庫存4,086
DMP2033UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,654
DMP2033UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存3,708
DMP2035U-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 810mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存4,415,754
DMP2035UFCL-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 740mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN1616-6 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad	庫存26,862
DMP2035UFDF-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1808pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.03W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存5,328
DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1808pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.03W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存2,898
DMP2035UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存7,470
DMP2035UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存5,274
DMP2035UVTQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存6,228
DMP2035UVTQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TSOT-26 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	庫存4,302
DMP2036UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,150
DMP2036UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存7,020
DMP2038USS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1496pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SO 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存4,626
DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 690mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DFN2020 (2x2) 包裝/箱: 6-PowerXDFN	庫存3,418
DMP2039UFDE-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.7nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E) 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad	庫存8,604

DMP2010UFV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,394

DMP2010UFV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,750

DMP2012SN-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 700mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SC-59-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存6,912

DMP2018LFK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4748pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2523-6
包裝/箱: 6-PowerUDFN

庫存95,766

DMP2021UFDE-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 11.1A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存7,542

DMP2021UFDE-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 11.1A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存26,286

DMP2021UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存5,472

DMP2021UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存7,722

DMP2021UTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 18A 8-TSSOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 8V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2760pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存8,856

DMP2021UTSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存4,806

DMP2022LSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2444pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存88,320

DMP2022LSSQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET PCH 20V 9.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 60.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2575pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,518

DMP2023UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7.6A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1837pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存4,176

DMP2023UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7.6A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1837pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 730mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存101,844

DMP2033UCB9-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-WLB1515-9
包裝/箱: 9-UFBGA, WLBGA

庫存4,086

DMP2033UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,654

DMP2033UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 845pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存3,708

DMP2035U-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1610pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 810mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存4,415,754

DMP2035UFCL-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 44nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 740mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN1616-6
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad

庫存26,862

DMP2035UFDF-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1808pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.03W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存5,328

DMP2035UFDF-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 8.1A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.1A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1808pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.03W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type F)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存2,898

DMP2035UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存7,470

DMP2035UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存5,274

DMP2035UVTQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存6,228

DMP2035UVTQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TSOT-26
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

庫存4,302

DMP2036UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,150

DMP2036UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存7,020

DMP2038USS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1496pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SO
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存4,626

DMP2039UFDE4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 690mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DFN2020 (2x2)
包裝/箱: 6-PowerXDFN

庫存3,418

DMP2039UFDE-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 27mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.7nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type E)
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad

庫存8,604

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