晶體管

型號	描述	庫存
DMP1070UCA3-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607- 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存8,550
DMP1080UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 820mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-WLB1010-4 包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA	庫存3,798
DMP1081UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta), 3.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0.9V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 650mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 820mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-WLB1010-4 包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA	庫存5,220
DMP1096UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: -5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 820mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: U-WLB1010-4 包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA	庫存7,506
DMP10H400SE-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta), 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1239pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 13.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存5,598
DMP10H400SEQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta), 6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1239pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2W (Ta), 13.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-223 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA	庫存47,364
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 9A TO252 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1239pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 42W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252-3 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存261,600
DMP10H4D2S-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 380mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存2,934
DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 380mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存668,082
DMP1100UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.3V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 670mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: X2-WLB0808-4 包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA	庫存29,496
DMP1200UFR4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 514pF @ 5V FET功能: - 功耗（最大值）: 480mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: X2-DFN1010-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存5,490
DMP1245UFCL-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.1nC @ 8V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1357.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 613mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: X1-DFN1616-6 (Type E) 包裝/箱: 6-PowerUFDFN	庫存9,711
DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.84nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55.4pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 360mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: X2-DFN0806-3 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存6,966
DMP2002UPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 585nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12826pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存37,680
DMP2003UPS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 177nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8352pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI5060-8 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,820
DMP2004K-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 550mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-23-3 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	庫存304,146
DMP2004TK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 430mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 150mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-523 包裝/箱: SOT-523	庫存5,868
DMP2004WK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 16V FET功能: - 功耗（最大值）: 250mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: SOT-323 包裝/箱: SC-70, SOT-323	庫存7,866
DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,676
DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,344
DMP2006UFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,336
DMP2006UFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5404pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存193,704
DMP2006UFGQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,318
DMP2006UFGQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,552
DMP2007UFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4621pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,418
DMP2007UFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4621pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,654
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6909pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存56,868
DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6909pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存1,693,578
DMP2010UFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,516
DMP2010UFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 42A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,865

DMP1070UCA3-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存8,550

DMP1080UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 820mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-WLB1010-4
包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA

庫存3,798

DMP1081UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta), 3.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 0.9V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 650mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 820mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-WLB1010-4
包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA

庫存5,220

DMP1096UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 820mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: U-WLB1010-4
包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA

庫存7,506

DMP10H400SE-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1239pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 13.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存5,598

DMP10H400SEQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 2.3A SOT223

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1239pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2W (Ta), 13.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-223
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

庫存47,364

DMP10H400SK3-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 9A TO252

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1239pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 42W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252-3
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存261,600

DMP10H4D2S-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存2,934

DMP10H4D2S-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 270mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 380mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存668,082

DMP1100UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.3V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 670mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: X2-WLB0808-4
包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA

庫存29,496

DMP1200UFR4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 514pF @ 5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 480mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: X2-DFN1010-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存5,490

DMP1245UFCL-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26.1nC @ 8V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1357.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 613mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: X1-DFN1616-6 (Type E)
包裝/箱: 6-PowerUFDFN

庫存9,711

DMP1555UFA-7B

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.84nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 55.4pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 360mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: X2-DFN0806-3
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存6,966

DMP2002UPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 585nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12826pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存37,680

DMP2003UPS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 177nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8352pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI5060-8
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,820

DMP2004K-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 600mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 550mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-23-3
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

庫存304,146

DMP2004TK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 430mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 150mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-523
包裝/箱: SOT-523

庫存5,868

DMP2004WK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 400mA (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 175pF @ 16V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: SOT-323
包裝/箱: SC-70, SOT-323

庫存7,866

DMP2005UFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,676

DMP2005UFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 89A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4670pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,344

DMP2006UFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,336

DMP2006UFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5404pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存193,704

DMP2006UFGQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,318

DMP2006UFGQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7500pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,552

DMP2007UFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4621pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,418

DMP2007UFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4621pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,654

DMP2008UFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6909pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存56,868

DMP2008UFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 14A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6909pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存1,693,578

DMP2010UFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,516

DMP2010UFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PowerDI3333-8
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,865

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