內存IC

IS49NLC36160-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160A-25EWBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25EWBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25EWBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36800-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (8M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC93200-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (32M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC96400-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (64M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (64M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (64M x 9)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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