內存IC

IS49FL004T-33VCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC FLASH 4M PARALLEL 32VSOP

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Non-Volatile
• 內存格式: FLASH
• 技術: FLASH
• 內存大小: 4Mb (512K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 33MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 120ns
• 電壓-供電: 3V ~ 3.6V
• 工作溫度: 0°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 32-VSOP

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IS49NLC18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 288Mb (16M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (32M x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TBGA
• 供應商設備包裝: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 400MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 15ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• 制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: DRAM
• 技術: DRAM
• 內存大小: 576Mb (16M x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 300MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 144-TFBGA
• 供應商設備包裝: 144-FCBGA (11x18.5)

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