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型號	描述	庫存
IDT71P72804S167BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存8,964
IDT71P72804S167BQI IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存7,956
IDT71P72804S200BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.88ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,718
IDT71P72804S200BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.88ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存7,254
IDT71P72804S200BQG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.88ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存5,382
IDT71P72804S250BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,070
IDT71P72804S250BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,952
IDT71P72804S250BQG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,700
IDT71P72804S250BQG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存8,766
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IDT71P73604S167BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,214
IDT71P73604S200BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.88ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,142
IDT71P73604S200BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.88ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,988
IDT71P73604S250BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存5,562
IDT71P73604S250BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存7,758
IDT71P73804S167BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存7,650
IDT71P73804S167BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存6,732
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IDT71P73804S200BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 7.88ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存6,264
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IDT71P73804S250BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - DDR2 內存大小: 18Mb (1M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 6.3ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存5,562
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IDT71P74604S167BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,574
IDT71P74604S167BQG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存4,752
IDT71P74604S167BQG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 167MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,142
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IDT71P74604S200BQ8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存8,586
IDT71P74604S200BQG IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存2,808
IDT71P74604S200BQG8 IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存3,276
IDT71P74604S250BQ IDT, Integrated Device Technology	內存 IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: SRAM 技術: SRAM - Synchronous, QDR II 內存大小: 18Mb (512K x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 250MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 8.4ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 165-TBGA 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)	庫存4,356

IDT71P72804S167BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存8,964

IDT71P72804S167BQI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存7,956

IDT71P72804S200BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,718

IDT71P72804S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存7,254

IDT71P72804S200BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存5,382

IDT71P72804S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,070

IDT71P72804S250BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,952

IDT71P72804S250BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,700

IDT71P72804S250BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存8,766

IDT71P73604S167BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存4,068

IDT71P73604S167BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,214

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,142

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IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,988

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存5,562

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存7,758

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存7,650

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,732

IDT71P73804S200BQ

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,322

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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 7.88ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,264

IDT71P73804S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,768

IDT71P73804S250BQ8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - DDR2
內存大小: 18Mb (1M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 6.3ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存5,562

IDT71P74604S167BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存6,768

IDT71P74604S167BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,574

IDT71P74604S167BQG

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存4,752

IDT71P74604S167BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 167MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,142

IDT71P74604S200BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存5,922

IDT71P74604S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存8,586

IDT71P74604S200BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存2,808

IDT71P74604S200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

庫存3,276

IDT71P74604S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: SRAM
技術: SRAM - Synchronous, QDR II
內存大小: 18Mb (512K x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 250MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 8.4ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 165-TBGA
供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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