內存IC

IDT7164L20YI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L25YI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L25YI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 25ns
• 訪問時間: 25ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L35Y

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L35YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L35YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L35YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164L35YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164LS20Y

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164LS20Y8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S20TP

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-PDIP

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IDT7164S20TPI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-PDIP

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IDT7164S20Y

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S20Y8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S20YI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S20YI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 20ns
• 訪問時間: 20ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S35TPG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 28-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 28-PDIP

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IDT7164S35YG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S35YG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S35YGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT7164S35YGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Asynchronous
• 內存大小: 64Kb (8K x 8)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: 35ns
• 訪問時間: 35ns
• 電壓-供電: 4.5V ~ 5.5V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
• 供應商設備包裝: 28-SOJ

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IDT71P71604S167BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S167BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S167BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S167BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 167MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 8.4ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S200BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.88ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S200BQ8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.88ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S200BQG

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.88ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S200BQG8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 200MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 7.88ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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IDT71P71604S250BQ

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Synchronous, DDR II
• 內存大小: 18Mb (512K x 36)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 250MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6.3ns
• 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 165-TBGA
• 供應商設備包裝: 165-CABGA (13x15)

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