內存IC

型號	描述	庫存
MT49H8M36BM-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,956
MT49H8M36BM-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,992
MT49H8M36BM-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,448
MT49H8M36BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,930
MT49H8M36BM-33:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,182
MT49H8M36BM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,388
MT49H8M36BM-33 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存267
MT49H8M36BM-33 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,104
MT49H8M36BM-33 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,886
MT49H8M36BM-5:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,328
MT49H8M36BM-TI:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,484
MT49H8M36BM-TI:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,130
MT49H8M36FM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,070
MT49H8M36FM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,194
MT49H8M36FM-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,446
MT49H8M36FM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,092
MT49H8M36FM-25 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,724
MT49H8M36FM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,244
MT49H8M36FM-33 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-XFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,096
MT49H8M36FM-5 TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-XFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,408
MT49H8M36SJ-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存6,354
MT49H8M36SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,604
MT49H8M36SJ-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存5,580
MT49H8M36SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存4,140
MT49H8M36SJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存6,120
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存3,114
MT49H8M36SJ-5:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 200MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存3,618
MT49H8M36SJ-TI:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,388
MT49H8M36SJ-TI:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 288Mb (8M x 36) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存7,524
MT51J256M32HF-50:A Micron Technology Inc.	內存 IC GDDR5 8G 256MX32 FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: RAM 技術: SGRAM - GDDR5 內存大小: 8Gb (256M x 32) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: - 寫周期-字，頁: - 訪問時間: - 電壓-供電: 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 170-TFBGA 供應商設備包裝: 170-FBGA (12x14)	庫存2,412

MT49H8M36BM-25E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,956

MT49H8M36BM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,992

MT49H8M36BM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,448

MT49H8M36BM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存6,930

MT49H8M36BM-33:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,182

MT49H8M36BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,388

MT49H8M36BM-33 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存267

MT49H8M36BM-33 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,104

MT49H8M36BM-33 TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,886

MT49H8M36BM-5:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,328

MT49H8M36BM-TI:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,484

MT49H8M36BM-TI:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,130

MT49H8M36FM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,070

MT49H8M36FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,194

MT49H8M36FM-25 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,446

MT49H8M36FM-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,092

MT49H8M36FM-25 TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存5,724

MT49H8M36FM-33:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,244

MT49H8M36FM-33 TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-XFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,096

MT49H8M36FM-5 TR

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-XFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存6,408

MT49H8M36SJ-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存6,354

MT49H8M36SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存8,604

MT49H8M36SJ-25E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存5,580

MT49H8M36SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存4,140

MT49H8M36SJ-25 IT:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存6,120

MT49H8M36SJ-25 IT:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存3,114

MT49H8M36SJ-5:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 200MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存3,618

MT49H8M36SJ-TI:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存8,388

MT49H8M36SJ-TI:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 288Mb (8M x 36)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)

庫存7,524

MT51J256M32HF-50:A

Micron Technology Inc.

內存

IC GDDR5 8G 256MX32 FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: RAM
技術: SGRAM - GDDR5
內存大小: 8Gb (256M x 32)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: -
寫周期-字，頁: -
訪問時間: -
電壓-供電: 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 170-TFBGA
供應商設備包裝: 170-FBGA (12x14)

庫存2,412

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