內存IC

型號	描述	庫存
MT49H32M18BM-18:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,470
MT49H32M18BM-18:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存7,056
MT49H32M18BM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,592
MT49H32M18BM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,050
MT49H32M18BM-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,982
MT49H32M18BM-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,118
MT49H32M18BM-33:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,330
MT49H32M18BM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,996
MT49H32M18CBM-18:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存507
MT49H32M18CBM-18:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存3,726
MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,256
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,354
MT49H32M18CFM-18:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存6,282
MT49H32M18CFM-18:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存4,734
MT49H32M18CFM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,832
MT49H32M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存5,778
MT49H32M18CFM-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,496
MT49H32M18CFM-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,154
MT49H32M18CSJ-18:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,982
MT49H32M18CSJ-18:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 533MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存5,724
MT49H32M18CSJ-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存4,986
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,028
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存2,016
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-FBGA (18.5x11)	庫存8,784
MT49H32M18FM-25:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,892
MT49H32M18FM-25:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,106
MT49H32M18FM-25E:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存2,250
MT49H32M18FM-25E:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 400MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 15ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,082
MT49H32M18FM-33:B Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存13,976
MT49H32M18FM-33:B TR Micron Technology Inc.	內存 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 制造商: Micron Technology Inc. 系列: - 內存類型: Volatile 內存格式: DRAM 技術: DRAM 內存大小: 576Mb (32M x 18) 內存接口: Parallel 時鐘頻率: 300MHz 寫周期-字，頁: - 訪問時間: 20ns 電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V 工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 144-TFBGA 供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)	庫存8,244

MT49H32M18BM-18:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,470

MT49H32M18BM-18:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存7,056

MT49H32M18BM-25:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,592

MT49H32M18BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存4,050

MT49H32M18BM-25E:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,982

MT49H32M18BM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存8,118

MT49H32M18BM-33:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,330

MT49H32M18BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存3,996

MT49H32M18CBM-18:B

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存507

MT49H32M18CBM-18:B TR

Micron Technology Inc.

內存

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 533MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
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訪問時間: 20ns
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供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
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制造商: Micron Technology Inc.
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制造商: Micron Technology Inc.
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內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
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制造商: Micron Technology Inc.
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內存類型: Volatile
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庫存8,028

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
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內存類型: Volatile
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內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
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庫存2,016

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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庫存8,784

MT49H32M18FM-25:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
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電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存8,892

MT49H32M18FM-25:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,106

MT49H32M18FM-25E:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
供應商設備包裝: 144-µBGA (18.5x11)

庫存2,250

MT49H32M18FM-25E:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 400MHz
寫周期-字，頁: -
訪問時間: 15ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 144-TFBGA
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庫存8,082

MT49H32M18FM-33:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

制造商: Micron Technology Inc.
系列: -
內存類型: Volatile
內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
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訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
工作溫度: 0°C ~ 95°C (TC)
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內存格式: DRAM
技術: DRAM
內存大小: 576Mb (32M x 18)
內存接口: Parallel
時鐘頻率: 300MHz
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訪問時間: 20ns
電壓-供電: 1.7V ~ 1.9V
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