二極管與整流器

1N7039CCU1

Microsemi

整流器-單

SCHOTTKY RECTIFIER

• 制造商: Microsemi Corporation
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1N7043CAT1

Microsemi

整流器-單

SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7043CCT1

Microsemi

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SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7048-1

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1N7048UR-1

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SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7049-1

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1N7049UR-1

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1N7050-1

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1N7051UR-1

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1N7052UR-1

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1N7053-1

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SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7054-1

Microsemi

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1N7054UR-1

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SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7055-1

Microsemi

整流器-單

SCHOTTKY RECTIFIER

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 二極管類型: -
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• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
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• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
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1N7055UR-1

Microsemi

整流器-單

SCHOTTKY RECTIFIER

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
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1N8024-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 750mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.74V @ 750mA
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 66pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-257-3
• 供應商設備包裝: TO-257
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8026-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 8A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 2.5A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 237pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-257-3
• 供應商設備包裝: TO-257
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8028-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 9.4A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 10A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 20µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 884pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-257-3
• 供應商設備包裝: TO-257
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 750mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.39V @ 750mA
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 76pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-257-3
• 供應商設備包裝: TO-257
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8031-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 1A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 76pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-276AA
• 供應商設備包裝: TO-276
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8032-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 2.5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 2.5A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 274pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-257-3
• 供應商設備包裝: TO-257
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8033-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 4.3A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.65V @ 5A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 274pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-276AA
• 供應商設備包裝: TO-276
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8034-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 9.4A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.34V @ 10A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 1107pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-257-3
• 供應商設備包裝: TO-257
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N8035-GA

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 650V
• 電流-平均整流（Io）: 14.6A (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 15A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 650V
• 電容@ Vr，F: 1107pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-276AA
• 供應商設備包裝: TO-276
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 250°C

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1N914

MICROSS/On Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 100V 200MA DIE

• 制造商: MICROSS/On Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 100V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 10mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 4ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 25nA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: Die
• 供應商設備包裝: Die
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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1N914

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
• 電流-平均整流（Io）: 200mA
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 50mA
• 速度: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• 反向恢復時間（trr）: 20ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V
• 電容@ Vr，F: 4pF @ 0V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AH, DO-35, Axial
• 供應商設備包裝: DO-35 (DO-204AH)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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