二極管與整流器

型號	描述	庫存
1N6628US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 660V 電流-平均整流（Io）: 1.75A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.35V @ 2A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 30ns 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 660V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, A 供應商設備包裝: A-MELF 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存6,492
1N6628US/TR Microsemi	整流器-單 UFR,FRR 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V 電流-平均整流（Io）: 2.3A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 4A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 45ns 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 600V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, E 供應商設備包裝: D-5B 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存2,502
1N6629 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 880V 電流-平均整流（Io）: 1.4A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 50ns 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 880V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: A, Axial 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存6,066
1N6629US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 880V 電流-平均整流（Io）: 1.4A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 50ns 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 880V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, A 供應商設備包裝: A-MELF 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存6,714
1N6630 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 990V 電流-平均整流（Io）: 1.4A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 50ns 當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 990V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: A, Axial 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存8,478
1N6630US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 900V 電流-平均整流（Io）: 1.4A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 3A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 50ns 當前-反向泄漏@ Vr: 4µA @ 100V 電容@ Vr，F: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: E-MELF 供應商設備包裝: D-5B 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存5,832
1N6631 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1100V 電流-平均整流（Io）: 1.4A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 60ns 當前-反向泄漏@ Vr: 4µA @ 1100V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: A, Axial 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存7,506
1N6631US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1100V 電流-平均整流（Io）: 1.4A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 60ns 當前-反向泄漏@ Vr: 4µA @ 1100V 電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, A 供應商設備包裝: A-MELF 工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C	庫存5,580
1N6638 Semtech	整流器-單 DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL 制造商: Semtech Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 125V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 4.5ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 125V 電容@ Vr，F: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: Axial 供應商設備包裝: Axial 工作溫度-結點: -	庫存5,274
1N6638 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存8,838
1N6638US Semtech	整流器-單 .3A ULTRA FAST 115V 制造商: Semtech Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存5,508
1N6638US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存6,264
1N6638US/TR Microsemi	整流器-單 SWITCHING 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 125V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 200mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 20ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 125V 電容@ Vr，F: 2.5pF @ 0V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, D 供應商設備包裝: D-5D 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C	庫存3,996
1N6639US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存7,794
1N6640 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存8,568
1N6640US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V 電流-平均整流（Io）: 300mA (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 200mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 4ns 當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 50V 電容@ Vr，F: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, D 供應商設備包裝: D-5D 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C	庫存6,030
1N6641 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存2,970
1N6641US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存7,794
1N6642 Semtech	整流器-單 DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL 制造商: Semtech Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 5ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V 電容@ Vr，F: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: Axial 供應商設備包裝: Axial 工作溫度-結點: -	庫存6,660
1N6642 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存7,416
1N6642U Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 5ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500µA @ 75V 電容@ Vr，F: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, D 供應商設備包裝: D-5D 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C	庫存3,024
1N6642UB2 Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存2,052
1N6642UB2R Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存5,202
1N6642UBCA Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存2,736
1N6642UBCC Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURPOSE 制造商: Microsemi Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存5,472
1N6642US Semtech	整流器-單 .3A ULTRA FAST 100V 制造商: Semtech Corporation 系列: * 二極管類型: - 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: - 電流-平均整流（Io）: - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: - 速度: - 反向恢復時間（trr）: - 當前-反向泄漏@ Vr: - 電容@ Vr，F: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: - 工作溫度-結點: -	庫存8,460
1N6642US Microsemi	整流器-單 DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 100mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 5ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V 電容@ Vr，F: 5pF @ 0V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, D 供應商設備包裝: D-5D 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C	庫存16,554
1N6642USE3 Microsemi	整流器-單 SWITCHING 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 100mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 5ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V 電容@ Vr，F: 5pF @ 0V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, B 供應商設備包裝: B, SQ-MELF 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C	庫存7,092
1N6642US/TR Microsemi	整流器-單 SWITCHING 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 100mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 5ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V 電容@ Vr，F: 5pF @ 0V, 1MHz 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SQ-MELF, D 供應商設備包裝: D-5D 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C	庫存7,938
1N6643 Semtech	整流器-單 DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL 制造商: Semtech Corporation 系列: - 二極管類型: Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V 電流-平均整流（Io）: 300mA 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr）: 6ns 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 50V 電容@ Vr，F: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: Axial 供應商設備包裝: Axial 工作溫度-結點: -	庫存2,124

1N6628US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 660V
電流-平均整流（Io）: 1.75A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.35V @ 2A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 30ns
當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 660V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, A
供應商設備包裝: A-MELF
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存6,492

1N6628US/TR

Microsemi

整流器-單

UFR,FRR

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
電流-平均整流（Io）: 2.3A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 4A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 45ns
當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 600V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, E
供應商設備包裝: D-5B
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存2,502

1N6629

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 880V
電流-平均整流（Io）: 1.4A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 50ns
當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 880V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: A, Axial
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存6,066

1N6629US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 880V
電流-平均整流（Io）: 1.4A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 50ns
當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 880V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, A
供應商設備包裝: A-MELF
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存6,714

1N6630

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 990V
電流-平均整流（Io）: 1.4A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 50ns
當前-反向泄漏@ Vr: 2µA @ 990V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: A, Axial
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存8,478

1N6630US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 900V
電流-平均整流（Io）: 1.4A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.7V @ 3A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 50ns
當前-反向泄漏@ Vr: 4µA @ 100V
電容@ Vr，F: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: E-MELF
供應商設備包裝: D-5B
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存5,832

1N6631

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1100V
電流-平均整流（Io）: 1.4A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 60ns
當前-反向泄漏@ Vr: 4µA @ 1100V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: A, Axial
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存7,506

1N6631US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1100V
電流-平均整流（Io）: 1.4A
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.4V @ 1.4A
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 60ns
當前-反向泄漏@ Vr: 4µA @ 1100V
電容@ Vr，F: 40pF @ 10V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, A
供應商設備包裝: A-MELF
工作溫度-結點: -65°C ~ 150°C

庫存5,580

1N6638

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL

制造商: Semtech Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 125V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 4.5ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 125V
電容@ Vr，F: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: Axial
供應商設備包裝: Axial
工作溫度-結點: -

庫存5,274

1N6638

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存8,838

1N6638US

Semtech

整流器-單

.3A ULTRA FAST 115V

制造商: Semtech Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存5,508

1N6638US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存6,264

1N6638US/TR

Microsemi

整流器-單

SWITCHING

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 125V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 200mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 20ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 125V
電容@ Vr，F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, D
供應商設備包裝: D-5D
工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

庫存3,996

1N6639US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存7,794

1N6640

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存8,568

1N6640US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
電流-平均整流（Io）: 300mA (DC)
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 200mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 4ns
當前-反向泄漏@ Vr: 100nA @ 50V
電容@ Vr，F: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, D
供應商設備包裝: D-5D
工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

庫存6,030

1N6641

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存2,970

1N6641US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存7,794

1N6642

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

制造商: Semtech Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 5ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V
電容@ Vr，F: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: Axial
供應商設備包裝: Axial
工作溫度-結點: -

庫存6,660

1N6642

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存7,416

1N6642U

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 5ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500µA @ 75V
電容@ Vr，F: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, D
供應商設備包裝: D-5D
工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

庫存3,024

1N6642UB2

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存2,052

1N6642UB2R

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存5,202

1N6642UBCA

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存2,736

1N6642UBCC

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURPOSE

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存5,472

1N6642US

Semtech

整流器-單

.3A ULTRA FAST 100V

制造商: Semtech Corporation
系列: *
二極管類型: -
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
電流-平均整流（Io）: -
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
速度: -
反向恢復時間（trr）: -
當前-反向泄漏@ Vr: -
電容@ Vr，F: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -
工作溫度-結點: -

庫存8,460

1N6642US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 100mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 5ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V
電容@ Vr，F: 5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, D
供應商設備包裝: D-5D
工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

庫存16,554

1N6642USE3

Microsemi

整流器-單

SWITCHING

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 100mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 5ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V
電容@ Vr，F: 5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, B
供應商設備包裝: B, SQ-MELF
工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

庫存7,092

1N6642US/TR

Microsemi

整流器-單

SWITCHING

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 75V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 100mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 5ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 75V
電容@ Vr，F: 5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SQ-MELF, D
供應商設備包裝: D-5D
工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

庫存7,938

1N6643

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

制造商: Semtech Corporation
系列: -
二極管類型: Standard
電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V
電流-平均整流（Io）: 300mA
電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 800mV @ 10mA
速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間（trr）: 6ns
當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 50V
電容@ Vr，F: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: Axial
供應商設備包裝: Axial
工作溫度-結點: -

庫存2,124

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