US6M11TR
僅供參考
| 型號 | US6M11TR |
| PNEDA編號 | US6M11TR |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,460 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸) |
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US6M11TR資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | US6M11TR |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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US6M11TR規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | N and P-Channel |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 20V, 12V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 1.5A, 1.3A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 110pF @ 10V |
| 功率-最大 | 1W |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
| 供應商設備包裝 | TUMT6 |
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