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SI6975DQ-T1-GE3

SI6975DQ-T1-GE3

僅供參考

型號 SI6975DQ-T1-GE3
PNEDA編號 SI6975DQ-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6975DQ-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6975DQ-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI6975DQ-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 5mA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大830mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 300mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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