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TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

僅供參考

型號 TC58CVG2S0HQAIE
PNEDA編號 TC58CVG2S0HQAIE
描述 IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC58CVG2S0HQAIE資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC58CVG2S0HQAIE
類別半導體內存IC內存
數據表
TC58CVG2S0HQAIE, TC58CVG2S0HQAIE數據表 (總頁數: 42, 大小: 1,628.74 KB)
PDFTC58CVG2S0HQAIE數據表 封面
TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 2 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 3 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 4 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 5 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 6 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 7 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 8 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 9 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 10 TC58CVG2S0HQAIE數據表 頁面 11

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TC58CVG2S0HQAIE規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (SLC)
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間280µs
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

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-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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