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TC58CVG2S0HQAIE數據表

TC58CVG2S0HQAIE數據表
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Toshiba Memory America, Inc.
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TC58CVG2S0HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

制造商

Toshiba Memory America, Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

280µs

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOP

TC58CVG2S0HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

制造商

Toshiba Memory America, Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

280µs

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (6x8)