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STGB3NB60FDT4

STGB3NB60FDT4

僅供參考

型號 STGB3NB60FDT4
PNEDA編號 STGB3NB60FDT4
描述 IGBT 600V 6A 68W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB3NB60FDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB3NB60FDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB3NB60FDT4, STGB3NB60FDT4數據表 (總頁數: 14, 大小: 757.86 KB)
PDFSTGP3NB60F數據表 封面
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STGB3NB60FDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電流-集電極脈沖(Icm)24A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 3A
功率-最大68W
開關能量125µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用16nC
25°C時的Td(開/關)12.5ns/105ns
測試條件480V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)45ns
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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600V

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32A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

140W

開關能量

900µJ (on), 400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

300V, 20A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

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開關能量

4.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/350ns

測試條件

720V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1200V

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11A

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22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.3V @ 15V, 5A

功率-最大

60W

開關能量

450µJ (on), 440µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/93ns

測試條件

960V, 5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

454W

開關能量

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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