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IXDP20N60B

IXDP20N60B

僅供參考

型號 IXDP20N60B
PNEDA編號 IXDP20N60B
描述 IGBT 600V 32A 140W TO220AB
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXDP20N60B資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXDP20N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXDP20N60B, IXDP20N60B數據表 (總頁數: 4, 大小: 209.84 KB)
PDFIXDP20N60B數據表 封面
IXDP20N60B數據表 頁面 2 IXDP20N60B數據表 頁面 3 IXDP20N60B數據表 頁面 4

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IXDP20N60B規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)32A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 20A
功率-最大140W
開關能量900µJ (on), 400µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用70nC
25°C時的Td(開/關)-
測試條件300V, 20A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 36A

功率-最大

600W

開關能量

1.3mJ (on), 370µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/80ns

測試條件

400V, 36A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

120ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

64A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 40A

功率-最大

500W

開關能量

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/110ns

測試條件

600V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264-3

制造商

IXYS

系列

HiPerFAST™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

400W

開關能量

4.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/350ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.85V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/251ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

84ns

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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