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STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KDT4

僅供參考

型號 STGB14NC60KDT4
PNEDA編號 STGB14NC60KDT4
描述 IGBT 600V 25A 80W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 23,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB14NC60KDT4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB14NC60KDT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB14NC60KDT4, STGB14NC60KDT4數據表 (總頁數: 26, 大小: 1,461.68 KB)
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STGB14NC60KDT4規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)25A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 7A
功率-最大80W
開關能量82µJ (on), 155µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用34.4nC
25°C時的Td(開/關)22.5ns/116ns
測試條件390V, 7A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)37ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

38A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 10A

功率-最大

60W

開關能量

320µJ (on), 2.58mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

62ns/690ns

測試條件

480V, 10A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 10A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 3A

功率-最大

70W

開關能量

37µJ (on), 25µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/73ns

測試條件

390V, 3A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/150ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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