US6K1TR
僅供參考
| 型號 | US6K1TR |
| PNEDA編號 | US6K1TR |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,178 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 26 - 五月 1 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
US6K1TR資源
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | US6K1TR |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- US6K1TR Datasheet
- where to find US6K1TR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor US6K1TR
- US6K1TR PDF Datasheet
- US6K1TR Stock
- US6K1TR Pinout
- Datasheet US6K1TR
- US6K1TR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- US6K1TR Price
- US6K1TR Distributor
US6K1TR規格
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 1.5A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 1.5V @ 1mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 80pF @ 10V |
| 功率-最大 | 1W |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
| 供應商設備包裝 | TUMT6 |
您可能感興趣的產品
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 - 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 27mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 38.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1850pF @ 20V 功率-最大 48W 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 Dual |
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 9nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 528pF @ 15V 功率-最大 900mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 36A Rds On（Max）@ Id，Vgs 270mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 308nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8700pF @ 25V 功率-最大 694W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP4 供應商設備包裝 SP4 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolSiC™+ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs 45mOhm @ 25A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 620nC @ 15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2000pF @ 800V 功率-最大 20mW 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
