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JAN2N3584

JAN2N3584

僅供參考

型號 JAN2N3584
PNEDA編號 JAN2N3584
描述 TRANS NPN 250V 2A TO-66
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 30 - 六月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N3584資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N3584
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N3584規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/384
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 125mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)5mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 1A, 10V
功率-最大2.5W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-213AA, TO-66-2
供應商設備包裝TO-66 (TO-213AA)

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Microsemi Corporation

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

175V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

功率-最大

12.5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-225AA

MPS8598RLRA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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2PC4081Q,135

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 30mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

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Through Hole

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