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SISF02DN-T1-GE3

SISF02DN-T1-GE3

僅供參考

型號 SISF02DN-T1-GE3
PNEDA編號 SISF02DN-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SISF02DN-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SISF02DN-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SISF02DN-T1-GE3, SISF02DN-T1-GE3數據表 (總頁數: 9, 大小: 230.08 KB)
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SISF02DN-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET® Gen IV
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs56nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2650pF @ 10V
功率-最大5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® 1212-8SCD
供應商設備包裝PowerPAK® 1212-8SCD

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A, 17.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

1.1W, 1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

590mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.05nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30.3pF @ 15V

功率-最大

285mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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