SISF02DN-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen IV FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 56nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2650pF @ 10V 功率-最大 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8SCD 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8SCD |
