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SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4830CDY-T1-E3
PNEDA編號 SI4830CDY-T1-E3
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4830CDY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4830CDY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4830CDY-T1-E3, SI4830CDY-T1-E3數據表 (總頁數: 14, 大小: 208.59 KB)
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SI4830CDY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列LITTLE FOOT®
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds950pF @ 15V
功率-最大2.9W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 20V

功率-最大

2.75W, 2.95W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

562pF @ 8V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

497pF @ 50V

功率-最大

1.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 6V

功率-最大

550mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

333A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 166.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1184nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40800pF @ 25V

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