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ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

僅供參考

型號 ZXMC10A816N8TC
PNEDA編號 ZXMC10A816N8TC
描述 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 24,648
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMC10A816N8TC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMC10A816N8TC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMC10A816N8TC, ZXMC10A816N8TC數據表 (總頁數: 11, 大小: 430.76 KB)
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ZXMC10A816N8TC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds497pF @ 50V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

540nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.1Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 20V

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

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