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SI4569DY-T1-E3

SI4569DY-T1-E3

僅供參考

型號 SI4569DY-T1-E3
PNEDA編號 SI4569DY-T1-E3
描述 MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI4569DY-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI4569DY-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI4569DY-T1-E3, SI4569DY-T1-E3數據表 (總頁數: 12, 大小: 131.1 KB)
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SI4569DY-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A, 7.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds855pF @ 20V
功率-最大3.1W, 3.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7200pF @ 25V

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1155pF @ 15V

功率-最大

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 100µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

87pF @ 20V

功率-最大

320mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

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