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APTC60VDAM45T1G

APTC60VDAM45T1G

僅供參考

型號 APTC60VDAM45T1G
PNEDA編號 APTC60VDAM45T1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60VDAM45T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60VDAM45T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60VDAM45T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)49A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7200pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

137mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 20V

功率-最大

1W

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

787pF @ 6V

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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