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PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

僅供參考

型號 PMBFJ174,215
PNEDA編號 PMBFJ174-215
描述 JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
制造商 NXP
單價
1 ---------- $9.5950
100 ---------- $9.1452
250 ---------- $8.6955
500 ---------- $8.2457
750 ---------- $7.8709
1,000 ---------- $7.4961
庫存 85,079
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ174資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ174,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ174, PMBFJ174數據表 (總頁數: 10, 大小: 165.27 KB)
PDFPMBFJ175數據表 封面
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PMBFJ174規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID5V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)85 Ohms
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

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系列

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

20V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

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