PMBFJ175數據表
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 30V 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 7mA @ 15V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 3V @ 10nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS(On) 125 Ohms 功率-最大 300mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23 (TO-236AB) |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 30V 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 20mA @ 15V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 5V @ 10nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS(On) 85 Ohms 功率-最大 300mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23 (TO-236AB) |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 30V 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 2mA @ 15V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 1V @ 10nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS(On) 250 Ohms 功率-最大 300mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23 (TO-236AB) |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 30V 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 1.5mA @ 15V 電流消耗(Id)-最大 - 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 800mV @ 10nA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS(On) 300 Ohms 功率-最大 300mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23 (TO-236AB) |