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PBSS5630PA,115

PBSS5630PA,115

僅供參考

型號 PBSS5630PA,115
PNEDA編號 PBSS5630PA-115
描述 TRANS PNP 30V 6A SOT1061
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBSS5630PA資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBSS5630PA,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
PBSS5630PA, PBSS5630PA數據表 (總頁數: 16, 大小: 470.59 KB)
PDFPBSS5630PA數據表 封面
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PBSS5630PA規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 300mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce190 @ 2A, 2V
功率-最大2.1W
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-PowerUDFN
供應商設備包裝3-HUSON (2x2)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 2.75A, 11A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5.5 @ 11A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264-3

MJD350TF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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