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MJD350TF

MJD350TF

僅供參考

型號 MJD350TF
PNEDA編號 MJD350TF
描述 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD350TF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD350TF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD350TF, MJD350TF數據表 (總頁數: 5, 大小: 270.8 KB)
PDFMJD350TF數據表 封面
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MJD350TF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
功率-最大1.56W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

200mW

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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