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PBLS1503Y,115

PBLS1503Y,115

僅供參考

型號 PBLS1503Y,115
PNEDA編號 PBLS1503Y-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 45,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS1503Y資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS1503Y,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS1503Y, PBLS1503Y數據表 (總頁數: 15, 大小: 209.41 KB)
PDFPBLS1503V數據表 封面
PBLS1503V數據表 頁面 2 PBLS1503V數據表 頁面 3 PBLS1503V數據表 頁面 4 PBLS1503V數據表 頁面 5 PBLS1503V數據表 頁面 6 PBLS1503V數據表 頁面 7 PBLS1503V數據表 頁面 8 PBLS1503V數據表 頁面 9 PBLS1503V數據表 頁面 10 PBLS1503V數據表 頁面 11

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PBLS1503Y規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 15V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡280MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝6-TSSOP

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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功率-最大

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電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

供應商設備包裝

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

470Ohms

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