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NJL3281DG

NJL3281DG

僅供參考

型號 NJL3281DG
PNEDA編號 NJL3281DG
描述 TRANS NPN 260V 15A TO-264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJL3281DG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJL3281DG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJL3281DG, NJL3281DG數據表 (總頁數: 8, 大小: 143.1 KB)
PDFNJL3281D數據表 封面
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NJL3281DG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)260V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 1A, 10A
當前-集電極截止(最大值)50µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 5A, 5V
功率-最大200W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-5
供應商設備包裝TO-264

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

36W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

275V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.25A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 10A, 3V

功率-最大

6W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

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