NJL3281D數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 260V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 3V @ 1A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 5A, 5V 功率-最大 200W 頻率-過渡 30MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-5 供應商設備包裝 TO-264 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 260V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 3V @ 1A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 5A, 5V 功率-最大 200W 頻率-過渡 30MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-5 供應商設備包裝 TO-264 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 260V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 3V @ 1A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 5A, 5V 功率-最大 200W 頻率-過渡 30MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-5 供應商設備包裝 TO-264 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP + Diode (Isolated) 當前-集電極（Ic）（最大值） 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 260V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 3V @ 1A, 10A 當前-集電極截止（最大值） 50µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 5A, 5V 功率-最大 200W 頻率-過渡 30MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-5 供應商設備包裝 TO-264 |
