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MUN2233T1

MUN2233T1

僅供參考

型號 MUN2233T1
PNEDA編號 MUN2233T1
描述 TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN2233T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN2233T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN2233T1, MUN2233T1數據表 (總頁數: 18, 大小: 160.76 KB)
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MUN2233T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大338mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

230mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

80mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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