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MUN2138T1G

MUN2138T1G

僅供參考

型號 MUN2138T1G
PNEDA編號 MUN2138T1G
描述 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN2138T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN2138T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN2138T1G, MUN2138T1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 172.06 KB)
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MUN2138T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大230mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SC-59-3

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50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

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120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

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500nA

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