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MJD32C-13

MJD32C-13

僅供參考

型號 MJD32C-13
PNEDA編號 MJD32C-13
描述 TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 23 - 六月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MJD32C-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MJD32C-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MJD32C-13, MJD32C-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 367.42 KB)
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MJD32C-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大15W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252-2

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

290 @ 2mA, 10V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

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250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2mA, 6V

功率-最大

150mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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