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2N3440

2N3440

僅供參考

型號 2N3440
PNEDA編號 2N3440_6B
描述 NPN POWER 350V 10W TRANSISTOR
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 9 - 七月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3440資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3440
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3440規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

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800mW

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

600 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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