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JANS2N5339U3

JANS2N5339U3

僅供參考

型號 JANS2N5339U3
PNEDA編號 JANS2N5339U3
描述 TRANS NPN 100V 5A SMD5
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $2,854.0179
50 ---------- $2,720.2358
100 ---------- $2,586.4537
200 ---------- $2,452.6717
400 ---------- $2,341.1866
500 ---------- $2,229.7015
庫存 226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 27 - 六月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANS2N5339U3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANS2N5339U3
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANS2N5339U3規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/560
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 2A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-SMD
供應商設備包裝SMD5

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5A

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500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 600mA, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

560 @ 500mA, 4V

功率-最大

15W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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