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JAN2N1485

JAN2N1485

僅供參考

型號 JAN2N1485
PNEDA編號 JAN2N1485
描述 TRANS NPN 40V 3A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N1485資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N1485
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N1485規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/207
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 40mA, 750mA
當前-集電極截止(最大值)15µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 750mA, 4V
功率-最大1.75W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
供應商設備包裝TO-8

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 100mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

80W

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-

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