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MMBT2222LT1

MMBT2222LT1

僅供參考

型號 MMBT2222LT1
PNEDA編號 MMBT2222LT1
描述 TRANS NPN 30V 0.6A SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT2222LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT2222LT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBT2222LT1, MMBT2222LT1數據表 (總頁數: 8, 大小: 219.06 KB)
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MMBT2222LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大300mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1.5A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220F

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-666

D44H8G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

MPSA06RA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

CST3

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