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J111_D75Z

J111_D75Z

僅供參考

型號 J111_D75Z
PNEDA編號 J111_D75Z
描述 JFET N-CH 35V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J111_D75Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J111_D75Z
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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J111_D75Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)35V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID3V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

3 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

400mW

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