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J111,126

J111,126

僅供參考

型號 J111,126
PNEDA編號 J111-126
描述 JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

J111資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號J111,126
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
J111, J111數據表 (總頁數: 6, 大小: 31.88 KB)
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J111規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID10V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS(On)30 Ohms
功率-最大400mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

6mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

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-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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