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IXGQ28N120BD1

IXGQ28N120BD1

僅供參考

型號 IXGQ28N120BD1
PNEDA編號 IXGQ28N120BD1
描述 IGBT 1200V 50A 250W TO3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,984
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGQ28N120BD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGQ28N120BD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGQ28N120BD1, IXGQ28N120BD1數據表 (總頁數: 6, 大小: 506.69 KB)
PDFIXGQ28N120BD1數據表 封面
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IXGQ28N120BD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.5V @ 15V, 28A
功率-最大250W
開關能量2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用92nC
25°C時的Td(開/關)30ns/180ns
測試條件960V, 28A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)40ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 17A

功率-最大

150W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 17A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

42A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

功率-最大

49W

開關能量

240µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/160ns

測試條件

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

360V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

280µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/140ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

400ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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