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IRF9910

IRF9910

僅供參考

型號 IRF9910
PNEDA編號 IRF9910
描述 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9910資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9910
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF9910, IRF9910數據表 (總頁數: 10, 大小: 279.62 KB)
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IRF9910規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A, 12A
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds900pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

588pF @ 30V

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.7A, 14.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1252pF @ 15V

功率-最大

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

960mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6696pF @ 25V

功率-最大

357W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 15V

功率-最大

2.1W, 2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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