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NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G

僅供參考

型號 NTMFD4C88NT1G
PNEDA編號 NTMFD4C88NT1G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C88NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C88NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C88NT1G, NTMFD4C88NT1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 127.78 KB)
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NTMFD4C88NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.7A, 14.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1252pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

415pF @ 13V

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

725pF @ 10V

功率-最大

800mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 10V

功率-最大

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