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H11A817DS

H11A817DS

僅供參考

型號 H11A817DS
PNEDA編號 H11A817DS
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A817DS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A817DS
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A817DS, H11A817DS數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11A817DS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)300% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)600% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)200mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝4-SMD

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

600ns, 1.5µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Gull Wing

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

7µs, 20µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

1mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

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電壓-輸出(最大值)

7V

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8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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