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FZT1149ATA

FZT1149ATA

僅供參考

型號 FZT1149ATA
PNEDA編號 FZT1149ATA
描述 TRANS PNP 25V 4A SOT-223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 12,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FZT1149ATA資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FZT1149ATA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FZT1149ATA, FZT1149ATA數據表 (總頁數: 7, 大小: 560.99 KB)
PDFFZT1149ATC數據表 封面
FZT1149ATC數據表 頁面 2 FZT1149ATC數據表 頁面 3 FZT1149ATC數據表 頁面 4 FZT1149ATC數據表 頁面 5 FZT1149ATC數據表 頁面 6 FZT1149ATC數據表 頁面 7

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FZT1149ATA規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 140mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 500mA, 2V
功率-最大2.5W
頻率-過渡135MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1.6A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

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安裝類型

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包裝/箱

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30000 @ 20mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1.5A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

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