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MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G

僅供參考

型號 MMBT5551M3T5G
PNEDA編號 MMBT5551M3T5G
描述 TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBT5551M3T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBT5551M3T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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MMBT5551M3T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)60mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大265mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝SOT-723

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 200mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2A, 2V

功率-最大

50W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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