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FF225R17ME4B11BOSA1

FF225R17ME4B11BOSA1

僅供參考

型號 FF225R17ME4B11BOSA1
PNEDA編號 FF225R17ME4B11BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 225A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF225R17ME4B11BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF225R17ME4B11BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF225R17ME4B11BOSA1, FF225R17ME4B11BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 684.68 KB)
PDFFF225R17ME4B11BOSA1數據表 封面
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FF225R17ME4B11BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)340A
功率-最大1500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 225A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce18.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 60A

當前-集電極截止(最大值)

80µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

390A

功率-最大

1060W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

22.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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